EV時代の成長株1　半導体＆関連装置＝阿部哲太郎

ローム　次世代SiC量産始まる

　自動車の電装化や自動運転により得意とする半導体素子（ディスクリート）、電力の制御や変換をつかさどりEVの性能を左右する「パワー半導体」による成長が期待される。中でも成長をけん引するのは次世代のSiC（炭化ケイ素）パワー半導体だ。2010年にはSiC製のMOSFET（モスフェット＝金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ）の量産を開始している。SiC半導体は従来のシリコン製に比べて高耐圧・低損失・小型化が可能で、車載・産業機器向けでの需要増が見込まれる。

　20年に発売した新型の第4世代SiC─MOSFETの引き合いが好調。EVの充電時間短縮のためのバッテリーの高電圧化に対応し、高耐圧かつ電力損失も少ない点が特徴だ。同時にEVのコアとなる駆動用インバーター向けSiCパワーモジュール（複数のパワー半導体を集積した部品）の開発も進めており、25年度までの中期経営計画では世界シェア20％から30％への拡大を目指す。

　生産設備強化に向けた投資も進めている。SiCの課題である量産コストの低減のため材料となるウエハーも現行の4インチ、6インチから8インチへの大口径化に取り組んでいる。22年からは子会社のローム・アポロ（福岡県広川町）の筑後工場のSiCパワーデバイスを生産する新棟の稼働開始が予定されている。

　8月上旬に中国の吉利汽車集団（ジーリー）と次世代パワー半導体分野の技術提携を発表した。提携の第一歩としてロームのSiCパワーデバイスを搭載した駆動用インバーターが、吉利汽車が開発中のEVに搭載される。SiC車載半導体は、投資から業績貢献へのフェーズへいよいよ切り替わる。

富士電機　電力制御技術で受注急増

　パワーエレクトロニクスシステム、半導体に注力し、設備投資額の9割、研究開発費の8割を集中して投じている。直近の21年4～6月期（第1四半期）は営業利益の増益額のほとんどが半導体セグメントによるもので、業績のけん引が顕著となっている。パワー半導体の4～6月期の受注高は前年同期比7割増と非常に堅調だ。

　特に独自開発したハイブリッド車（HV）や電気自動車（EV）のパワーコントロールユニット（電力を適切に制御する機器）向けのRC－IGBT（逆導通型の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）の引き合いが強い。RC－IGBT…